东大联合日企开发出新一代半导体加工技术
东京大学的教授小林洋平等人携手味之素Fine-Techno （川崎市）等，开发出了在半导体封装基板上形成直径6微米（微米为100万分之1米）以下微细孔洞的激光加工技术。利用此前的技术，约40微米是极限。力争面向迈向微细化和高性能化的新一代半导体实现实用化。此次是与三菱电机、涉足激光振荡器的Spectronix（大阪府吹田市）的联合研究成果。
利用此次开发的技术，可在Fine-Techno的绝缘薄膜上形成布线用的微细孔洞。该绝缘膜用于连接印刷基板和CPU（中央处理器）等的封装基板。具体来说，能以极短的时间间隔连续照射波长为266纳米（纳米为10亿分之1米）的“深紫外激光”。充分利用了以人工智能（AI）计算最佳激光照射方法的东京大学的技术，在使孔的尺寸比此前明显缩小方面看到了眉目。
2020年代后半期以后启动量产的新一代半导体需要将封装基板的布线用孔降至直径10微米以下。高性能的半导体将搭载于纯电动汽车（EV）等，需求估计将会扩大，东京大学等将携手推进实用化。
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