寂静回声 发表于 6 天前

晶圆温度监测


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《集成电路制造过程中的晶圆温度监测技术》
http://jemi.cnjournals.com/yqyb/article/pdf/20210102

TC Wafer(热电偶晶圆测温系统)
传感器类型:K型热电偶(铬镍-铝镍合金)
在晶圆表面形成高密度分布式热电偶阵列(如12英寸晶圆最多可达68个测温点);
可实时捕捉晶圆表面细微温度差异,精度可达±0.5°C;
工作温度范围覆盖室温至1200°C;
具备抗电磁干扰、耐高温真空环境、自动校准等功能;
广泛应用于RTP/RTA、CVD/PVD/ALD、光刻PEB、蚀刻等工艺的温度均匀性验证。



红外测温传感器(如CSmicro系列)
传感器类型:长波红外(8–14 µm)非接触式测温仪
特点:
适用于光刻等需非接触测温的场景;
传感器头尺寸极小,便于集成;
响应速度快,可实时监测晶圆表面温度分布;
测温范围−40°C至1030°C,适合多种工艺阶段。

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