晶圆温度监测

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问






答

《集成电路制造过程中的晶圆温度监测技术》
http://jemi.cnjournals.com/yqyb/article/pdf/20210102

TC Wafer（热电偶晶圆测温系统）
传感器类型：K型热电偶（铬镍-铝镍合金）
在晶圆表面形成高密度分布式热电偶阵列（如12英寸晶圆最多可达68个测温点）；
可实时捕捉晶圆表面细微温度差异，精度可达±0.5°C；
工作温度范围覆盖室温至1200°C；
具备抗电磁干扰、耐高温真空环境、自动校准等功能；
广泛应用于RTP/RTA、CVD/PVD/ALD、光刻PEB、蚀刻等工艺的温度均匀性验证。



红外测温传感器（如CSmicro系列）
传感器类型：长波红外（8–14 µm）非接触式测温仪
特点：
适用于光刻等需非接触测温的场景；
传感器头尺寸极小，便于集成；
响应速度快，可实时监测晶圆表面温度分布；
测温范围−40°C至1030°C，适合多种工艺阶段。