没有钱没事儿的，你得告诉人家我有用，

风声1923

以常用的增强型N沟道Mos为例，是通过在栅极和衬底之间加一个电压，产生电场去吸引衬底里的电子，让电子富集到一定程度形成导电沟道，让源极和漏极导通。

MOS和BJT的重要区别有:
一是用电压控制导通程度（可以把Mos看成是一个阻值受电压控制的电阻），而且栅极输入阻抗也非常大，基本不消耗电流。

二是Mos是由沟道导电，不经过PN节，这就延伸出Mos的电流双向流动特性，因为源极和漏极的结构是一样的，漏极源极完全可以互换，只要保证栅极和衬底之间一定的偏置电压，导电沟道能维持，电流正反都能流动。

前几天还看到一个电源切换的电路，就是利用了Mos这个电流双向流动的特性，一哥们没搞清楚还说电路有问题。

另外同样由于导电通道不一样，Datasheet上的参数，Mos标的是通态电阻，BJT标的则是通态压降，这些是计算热损耗的重要参数。