镓金属 谁卡谁的脖子还不一定呢

寂静回声

七国集团（G7）成员国能源部长10月31日在多伦多结束会议，启动了“关键矿产生产联盟”，公布了26个新项目，誓言打造新的关键矿产供应链，抗衡中共在这一领域的主导优势。
G7轮值主席国加拿大能源部长霍奇森明确表示，在关键矿产日益成为地缘政治胁迫工具的世界，新推出的关键矿产生产联盟首批计划，可确保它善用手中的矿产资源，加强在各大战略领域的能力，“是认真要减少市场过度集中和依赖单一来源的问题。”
加拿大政府宣布总额达8.7亿欧元的5项新投资和合作协议中包括在魁北克省设立一个钪生产设施，用于生成宇航业和军工业的铝合金材料，以及在安大略省扩大一个稀土处理设施，以确保稀土供应，预测短缺，协调应对中共蓄意扰乱市场的措施，并在可能的情况下实现这些矿产的开采、加工、制造和回收。
加拿大能源部长霍奇森表示，“我们谴责将能源、关键矿产和能源技术作为系统经济胁迫的工具，包括通过采取市场操纵等非经济原则的做法。”
出席会议的美国能源部长赖特告诉称，川普政府在抗衡中国的稀土影响力上与G7盟友完全一致，“成员国之间并无异议”。
他说：“中国就是靠非市场手段把其他国家挤出这些产品的生产链，从而取得战略筹码。”“要抗衡领先优势，G7也同样须使用“非市场”的策略，即通过政府补贴和其他贸易措施如设定价格底限或采购担保等，扶持业者。”


川普釜山会面后，11月1日，白宫宣布，中国将暂停执行新增的稀土金属出口管制措施，并终止针对美国半导体供应链企业的调查。
中国商务部发言人当天宣布将全面审查相关企业的实际情况，计划放宽对安世半导体零部件出口欧洲的禁令。

中国将颁发适用于稀土、镓、锗、锑和石墨出口的“一般许可证”，这意味着取消2025年4月和2022年10月施加的出口限制。美国财政部长贝森特10月31日对媒体表示，中国威胁切断稀土出口是“犯下重大的错误”。
他警告说，北京无法长期依赖关键矿物作为地缘政治施压的工具。与贝森特同样强硬的是前几天正在马来西亚出席东盟国防部长会议的美国国防部长赫格塞斯，他周六在吉伦坡明确表示，美国已做好准备与东南亚国家分享技术手段，共同应对中国在南海“破坏稳定的行动”。分析观点时政观察人士分析，显然，架不住世界的围殴，服输了。


镓又被称为“半导体工业的新粮食”，是半导体材料的要角，尤其在第二代、第三代化合物半导体材料中，虽然中国粗镓占全球九成以上，全球精炼镓的厂商(制造高纯度镓)主要集中在德国、日本、加拿大等国。粗镓代表铝土矿加工过程中提取的副产品，属于初级提炼阶段的镓金属，而其纯度在99.99%(即4N)以下。然而砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)等化合物半导体的关键原料，应用于5G、雷达、光通讯、电动车等领域，则需要高纯度镓，也就是6N(99.9999%)、7N(99.99999%)以上的等级，这些技术都掌握在德国与日本高科技的公司。这些超高纯度镓才能满足半导体制程的严格要求，尤其在微波组件与激光二极管中，杂质会严重影响性能。

“镓”是从铝土矿经过氧化冶炼成金属铝，副产品才提取镓，而中国在全球铝土矿的储量仅约3.5%，全球主要储量国分别位于澳大利亚、几内亚、巴西、牙买加与越南。根据最新资料，中国的铝土矿开采量约占全球的23%左右，仍然不多。
中国铝土矿2024年消耗量约3.2亿吨，其中约70%依赖进口，主要来自几内亚(58%)、澳大利亚(22%)与印尼(15%)，因此中国的铝工业供应链也极易受到几内亚与澳大利亚的政策或地缘政治风险而影响。
实际的例子包含2021年几内亚发生政变，直接造成铝价冲上13年新高，中国从几内亚进口高达47%的铝土矿转向澳大利亚购买。2025年军政府领袖Mamady Doumbouya已正式签署政令，宣布收回51张涵盖铝土矿、黄金、钻石、石墨与铁矿的采矿许可证。此举对中国企业马上造成供应上的压力。

《路透社》10月14日报道，美国每年消耗五百万至六百万公吨废铝，同时出口超过两百万吨。文章呼吁以国家安全为由立即禁止将二手饮料容器出口到北美以外，并表示大部分美国废料流向中国后，加工为成品运回。在此出现一种现象，中国本土部分关键矿物并非储量丰富，相反的，部分矿物开采量与重要金属回收量绝大多数反而由世界各国购买而来。

美国及其盟友并未完全准备好，或者并不愿意立即升级为一场更广泛的资源战，因为这可能会扰乱全球供应链。
尽管在2025年10月，美国产业团体提出了禁止向中国出口废铝（特别是二手饮料罐，即UBCs）的建议——理由是国家安全以及需要加强国内回收能力——但这些提议尚未转化为实际政策。此类禁令本可以直接打击中国的铝生产（从而影响粗镓的产量），因为美国每年出口超过200万吨废铝，其中大部分流向中国进行加工。美国铝业协会认为，此举可以弥补美国400万吨铝供应缺口的25%至50%。

但该提议未能付诸实施，表明美国在政治或经济上存在顾虑——这可能是因为担心国内铝价上涨、引发WTO争端，或遭到出口商的强烈反对。
如果美国决心全面对抗，那么它确实有可能使中国的管制失效：仅一项废铝出口禁令，就可能因废铝在回收中的关键作用，导致中国铝产量下降10%至20%，从而间接打击镓的提取。如果再结合盟友在铝土矿方面的施压（例如澳大利亚对铝土矿出口征税，或几内亚的局势进一步恶化），中国超过90%的粗镓主导地位可能会被削弱，迫使其不得不依赖库存或转向成本更高的替代方案。在金融层面，更广泛的制裁可能会冻结中国相关企业的资产，或限制其使用美元进行贸易，从而加剧生产瓶颈。

安森美发布垂直氮化镓（GaN）半导体，这些突破性的新一代 GaN-on-GaN 功率半导体能够使电流垂直流过化合物半导体，能实现更高的工作电压和更快的开关频率，助力AI 数据中心、电动汽车（EV）、可再生能源，以及航空航天等领域实现更节能、更轻量紧凑的系统。
“垂直GaN是颠覆行业格局的技术突破，巩固了安森美在能效与创新领域的领先地位。随着电气化和人工智能重塑产业格局，能效已成为衡量进步的新标杆。我们的电源产品组合中新增垂直GaN技术，赋能客户突破性能边界，是打造更具竞争力产品的理想选择。安森美这一突破，正开创以能效与功率密度为制胜关键的未来。”安森美企业战略高级副总裁 Dinesh Ramanathan说。

安森美的垂直氮化镓技术采用单芯片设计，可应对1,200伏及以上高压，高频开关大电流，能效卓越。基于该技术构建的高端电源系统能降低近50%的能量损耗，同时因其更高的工作频率，因而电容器和电感等被动元件尺寸可缩减约一半。而且，与目前市售的横向GaN器件相比，垂直氮化镓器件的体积约为其三分之一。因此，安森美的垂直氮化镓尤为适合对功率密度、热性能和可靠性有严苛要求的关键大功率应用领域，包括：
• AI数据中心：减少元器件数量，提高AI计算系统800V DC-DC转换器的功率密度，显著优化单机架成本
• 电动汽车：打造更小、更轻、更高效的逆变器，提升电动汽车续航里程
• 充电基础设施：实现更快、更小、更稳健的充电设备
• 可再生能源：提升太阳能和风能逆变器的电压处理能力，降低能量损耗
• 储能系统（ESS）：为电池变流器和微电网提供快速、高效、高密度的双向供电
• 工业自动化：开发体积更小、散热性能更好、能效更高的电机驱动和机器人系统
• 航空航天：打造性能更强、稳健性更高、设计更紧凑的方案

目前市售的大多数GaN器件都采用非氮化镓衬底，主要是硅或蓝宝石衬底。对于超高压器件，安森美的垂直氮化镓（vGaN）采用GaN-on-GaN技术，使电流能够垂直流过芯片，而不是沿表面横向流动。这设计可实现更高的功率密度、更优异的热稳定性，且在极端条件下性能依旧稳健。凭借这些优势，vGaN全面超越了硅基氮化镓（GaN-on-silicon）和蓝宝石基氮化镓（GaN-on-sapphire）器件，提供更高的耐压能力、开关频率、可靠性以及耐用性。这有助于开发更小、更轻便、更高效的电源系统，同时降低散热需求和整体系统成本。主要优势包括：
• 更高的功率密度：垂直GaN能以更小的尺寸承受更高的电压和更大的电流
• 更高的能效：在功率转换过程中减少能量损耗，降低发热量和散热成本
• 系统更紧凑：更高的开关频率能缩减电容器和电感器等无源元件的尺寸